Descrição

Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4

Especificação

Características:

- Marca: Kingston

- Modelo: KVR26N19S6/4

Especificações

- Capacidade: 4GB

- Frequência de operação: DDR4 2666Mhz

- 288-Pin DIMM

- CL (IDD): 19 ciclos

- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)

- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)

- Potência Máxima de Operação – TBD W*

- Classificação UL 94 V - 0

- Temperatura de operação – 0oC a +85oC

- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC

- A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM

- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico

- VDDQ = 1,2V Típico

- VPP = 2.5V Típico

- VDDSPD = 2,2V a 3,6V

- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara

- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

- Geração e calibração VREFDQ no DIE

- Single Rank

- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada

- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

- Topologia fly-by

- Comando de controle e barramento de endereços com terminação

- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

- Em conformidade com RoHS e sem halogênios

 

* Imagem meramente ilustrativa

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Suporte & Garantia

Garantia:

- 3 Meses

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